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创伟发电子(香港)有限公司

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irchild Semiconductor)推出互补型40VMOSFET组件FDD8424H

2010-08-21

(Fairchild Semiconductor)推出互补型40VMOSFET组件FDD8424H,它采用双DPAK封装,可提供优异散热能力,有助于提高系统可靠性、缩减电路板空间及降低系统的整体成本。

 

FDD8424H是专为半桥和全桥逆变器设计而最佳化的,是液晶电视、液晶显示器、马达驱动和电灯驱动所用背光单元(BLU)的理想选择。与采用8引脚和双SOIC(SO8)封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其的五分之一及十分之一。

 

此外,FDD8424H还在单一封装中整合了一个P沟道高侧MOSFET和一个N沟道低侧MOSFET,因而可以在组件内有共漏连接(common drain connection),并能简化电路板布局及缩短设计时间。

 

快捷半导体通信和消费产品营销经理Mike Speed 表示:“快捷半导体的FDD8424H使得显示器设计人员能够对逆变器设计的占用面积和热性能进行最佳化。与传统的SO8封装解决方案相比较,双DPAK封装中的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷(Qg)最佳化增强了开关性能,因此能降低热耗散及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。”

(Fairchild Semiconductor)推出互补型40VMOSFET组件FDD8424H,它采用双DPAK封装,可提供优异散热能力,有助于提高系统可靠性、缩减电路板空间及降低系统的整体成本。

 

FDD8424H是专为半桥和全桥逆变器设计而最佳化的,是液晶电视、液晶显示器、马达驱动和电灯驱动所用背光单元(BLU)的理想选择。与采用8引脚和双SOIC(SO8)封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其的五分之一及十分之一。

 

此外,FDD8424H还在单一封装中整合了一个P沟道高侧MOSFET和一个N沟道低侧MOSFET,因而可以在组件内有共漏连接(common drain connection),并能简化电路板布局及缩短设计时间。

 

快捷半导体通信和消费产品营销经理Mike Speed 表示:“快捷半导体的FDD8424H使得显示器设计人员能够对逆变器设计的占用面积和热性能进行最佳化。与传统的SO8封装解决方案相比较,双DPAK封装中的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷(Qg)最佳化增强了开关性能,因此能降低热耗散及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。”